三星率先研发10纳米DRAM 更快能效更高

网易科技讯 4月6日消息 据Engadget UK网站报道，因特尔可能推迟了10纳米CPU的发布，但三星的10纳米级别动态随机存取存储器(DRAM)芯片已准备就绪。目前三星公司正利用这一技术批量生产第一代8GB的DDR4芯片，领先于竞争者SK海力士(Hynix)和美光(Micron)。它将于今年生产SIMM模块，从用于笔记本电脑的4GB内存到企业服务器的128GB内存不等。三星还承诺在“不远的将来”发布10纳米移动DRAM。

去年三星为固态硬盘以及其它存储产品发布了10纳米NAND闪存，但将DRAM缩小到这个大小非常困难。这是因为易失性存储器要求一个与晶体管匹配的电容器，这意味着所有组件必须更小。三星表示，由于必须“将储存大电荷的非常狭窄的圆柱形电容器堆叠起来放在几十个纳米宽度的晶体管上方”，这导致困难加倍。

为了实现它，三星改进了它的四重曝光（quadruple patterningtechnology）技术（最初用于它的Nand flash存储器），使用了多重光刻曝光来增加芯片特征的分辨率。结果产生了比三星上一代20纳米RAM快30%、能量效率提升20%的芯片。这款RAM很可能先应用于笔记本，但PC机制造商应该在今年年底前购买到基于这一技术的模块。